Numărul de produs al producătorului:
IRLU024NPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRLU024NPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventar:
1893 Piese Noi Originale În Stoc
12807062
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRLU024NPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
480 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
IPAK (TO-251AA)
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IRLU024
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
64-4164PBF-DG
64-4164PBF
SP001553260
*IRLU024NPBF
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SPI07N65C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3
SPP02N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 2A TO220-3
IRF7453PBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
