FQPF17P10

Numărul de produs al producătorului:

FQPF17P10

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FQPF17P10-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 100V 10.5A TO220F

Descriere detaliată:

P-Channel 100 V 10.5A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

RFQ Online

12847457

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FQPF17P10 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

QFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

P-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

10.5A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 5.25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

39 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1100 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

41W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-220F-3

Pachet / Carcasă

TO-220-3 Full Pack

Numărul de bază al produsului

FQPF1

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

1,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

FQD12P10TM

MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252

onsemi

FCH165N65S3R0-F155

MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3

onsemi

FQPF7N10L

MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F

onsemi

FDFS2P753AZ

MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC