Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FQPF10N20C
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQPF10N20C-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
RFQ Online
12847249
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQPF10N20C Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
510 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
38W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
FQPF10
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
FQP10N20C Datasheet
Informații suplimentare
Alte nume
FQPF10N20CFS
FQPF10N20C-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FQPF19N20C
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
783
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQPF19N20C-DG
PREȚ UNIC
0.57
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RCX100N25
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
429
DiGi NUMĂR DE PARTE
RCX100N25-DG
PREȚ UNIC
0.86
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
RCX120N20
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
RCX120N20-DG
PREȚ UNIC
1.09
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRLI630GPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
991
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRLI630GPBF-DG
PREȚ UNIC
1.08
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFI630GPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1686
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFI630GPBF-DG
PREȚ UNIC
1.16
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDA24N50
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
FDME510PZT
MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET
FQP47P06
MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
FDD16AN08A0_NF054
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK