FQP9N90C
Numărul de produs al producătorului:

FQP9N90C

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FQP9N90C-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 8A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

194 Piese Noi Originale În Stoc
12836538
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FQP9N90C Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
QFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
205W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FQP9

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
FAIFSCFQP9N90C
FQP9N90COS
FQP9N90C-DG
FQP9N90CFS-DG
2156-FQP9N90C-OS
FQP9N90CFS
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

FQA13N50CF_F109

MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN

onsemi

FDD6796

MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK

onsemi

FDN5630

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3

onsemi

IRLR110ATF

MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK