FDN5630
Numărul de produs al producătorului:

FDN5630

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDN5630-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

5620 Piese Noi Originale În Stoc
12836551
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDN5630 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
FDN563

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
FDN5630CT
FDN5630_F095CT-DG
FDN5630TR
ONSONSFDN5630
FDN5630_F095TR
FDN5630_F095TR-DG
FDN5630_F095DKR-DG
FDN5630_F095
FDN5630_F095DKR
FDN5630_F095CT
FDN5630DKR
2156-FDN5630-OS
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

IRLR110ATF

MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK

onsemi

FQA44N10

MOSFET N-CH 100V 48A TO3P

onsemi

FQD7N30TM

MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK

onsemi

HUF75321P3

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3