Numărul de produs al producătorului:
FQNL2N50BTA
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQNL2N50BTA-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 350mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventar:
12847857
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQNL2N50BTA Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Cut Tape (CT)
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
350mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.3Ohm @ 175mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-92-3
Pachet / Carcasă
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Numărul de bază al produsului
FQNL2
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FAIFSCFQNL2N50BTA
2156-FQNL2N50BTA-OS
FQNL2N50BTATB
FQNL2N50BTACT
FQNL2N50BTA-DG
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STQ1NC45R-AP
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STQ1NC45R-AP-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTB13N10T4G
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
FDMS7660AS
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
FDMS003N08C
MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
