Numărul de produs al producătorului:
FQD17N08LTM
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQD17N08LTM-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 12.9A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12846247
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQD17N08LTM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12.9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 6.45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
FQD17N08
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FQD17N08LTMDKR
FQD17N08LTMCT
FQD17N08LTMTR
FQD17N08LTM-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRLR3410TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
48747
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRLR3410TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.38
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FDC3512
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDC3512-DG
PREȚ UNIC
0.29
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMC510P
MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
FCPF11N60T
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
AOI4146
MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO251A
