Numărul de produs al producătorului:
IRLR3410TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRLR3410TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventar:
48747 Piese Noi Originale În Stoc
12822718
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRLR3410TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
79W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IRLR3410
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001567392
IRLR3410PBFCT
*IRLR3410TRPBF
IRLR3410PBFTR
IRLR3410PBFDKR
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF540NL
MOSFET N-CH 100V 33A TO262
IRFB4115PBF
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
BUK6208-40C,118
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
