Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FQB9N50CFTM_WS
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQB9N50CFTM_WS-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 173W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
RFQ Online
12850552
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQB9N50CFTM_WS Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
FRFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1030 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
173W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FQB9
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FQB9N50CFTM_WS-DG
Fișe tehnice
FQB9N50CFTM_WS
Informații suplimentare
Alte nume
FQB9N50CFTM_WSTR
FQB9N50CFTM_WSDKR
FQB9N50CFTM_WSCT
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF840LCSPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF840LCSPBF-DG
PREȚ UNIC
1.35
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRF540NSTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7309
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF540NSTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.52
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRF840ASTRLPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
800
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF840ASTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.98
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STB11NK50ZT4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
872
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB11NK50ZT4-DG
PREȚ UNIC
1.34
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AOB298L
MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263
FDS9435A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
AON3414
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN
FDS2170N3
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC