Numărul de produs al producătorului:
FDS2170N3
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDS2170N3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventar:
12850569
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
ffIR
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDS2170N3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
128mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1292 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO FLMP
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Numărul de bază al produsului
FDS21
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDS2170N3_NLCT
FDS2170N3_NLCT-DG
FDS2170N3_NLTR
FDS2170N3DKR
FDS2170N3_NL
FDS2170N3CT
FDS2170N3CT-NDR
FDS2170N3TR
FDS2170N3TR-NDR
FDS2170N3_NLTR-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDMS2672
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1825
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDMS2672-DG
PREȚ UNIC
1.14
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AUIRF3805S-7P
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
AON6324
MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN
FQP6N15
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3
