Numărul de produs al producătorului:
FQB2N90TM
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQB2N90TM-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 2.2A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12850425
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQB2N90TM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FQB2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF540NSTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7309
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF540NSTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.52
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDP24N40
MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
FQA34N20
MOSFET N-CH 200V 34A TO3P
BSC011N03LSTATMA1
MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
