Numărul de produs al producătorului:
FQAF13N80
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQAF13N80-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventar:
12850433
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQAF13N80 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
120W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PF
Pachet / Carcasă
TO-3P-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
FQAF13
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FQAF13N80-OS
ONSONSFQAF13N80
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW10NK80Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
39
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW10NK80Z-DG
PREȚ UNIC
2.27
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMC510P-F106
MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFN
FQD7P06TM_NB82050
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
FDG332PZ
MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
