Numărul de produs al producătorului:
FQA9N90C-F109
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQA9N90C-F109-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 9A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12847489
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQA9N90C-F109 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
280W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FQA9
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2832-FQA9N90C-F109
2156-FQA9N90C-F109-OS
FQA9N90C_F109-DG
ONSONSFQA9N90C-F109
FQA9N90C_F109
FQA9N90CF109
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTD4856N-1G
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
FCP7N60
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
HUF75307D3
MOSFET N-CH 55V 15A IPAK