NTD4856N-1G
Numărul de produs al producătorului:

NTD4856N-1G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTD4856N-1G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 13.3A (Ta), 89A (Tc) 1.33W (Ta), 60W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

12847490
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

NTD4856N-1G Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13.3A (Ta), 89A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2241 pF @ 12 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.33W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I-PAK
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
NTD48

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2156-NTD4856N-1G-ON
ONSONSNTD4856N-1G
Pachet standard
75

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
PHT6NQ10T,135
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
4949
DiGi NUMĂR DE PARTE
PHT6NQ10T,135-DG
PREȚ UNIC
0.28
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

FCP7N60

MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3

onsemi

HUF75307D3

MOSFET N-CH 55V 15A IPAK

onsemi

FDU6512A

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK

onsemi

MCH3477-TL-H

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70