Numărul de produs al producătorului:
FQA38N30
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQA38N30-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 38.4A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12836661
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQA38N30 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
38.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 19.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
290W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FQA3
Informații suplimentare
Alte nume
2166-FQA38N30-488
2832-FQA38N30
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQP6N90
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3
HUFA75321S3ST
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
FQD6N25TM
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
