FDA38N30

Numărul de produs al producătorului:

FDA38N30

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDA38N30-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN

Descriere detaliată:

N-Channel 300 V 38A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventar:

17406 Piese Noi Originale În Stoc

12848094

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FDA38N30 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

Tube

Serie

UniFET™

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

300 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

38A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

60 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2600 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

312W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-3PN

Pachet / Carcasă

TO-3P-3, SC-65-3

Numărul de bază al produsului

FDA38

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

2832-FDA38N30

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

Not Applicable

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

FQD13N06LTM

MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOT22N50L

MOSFET N-CH 500V 22A TO220

onsemi

FDB8441-F085

MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB

alpha-and-omega-semiconductor

AOD8N25

MOSFET N CH 250V 8A TO252