Numărul de produs al producătorului:
FQA27N25
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQA27N25-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 27A TO3PN
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 27A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
12837797
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQA27N25 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2450 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
210W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PN
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FQA27
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDA33N25
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
619
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDA33N25-DG
PREȚ UNIC
1.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXTQ36N30P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
346
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTQ36N30P-DG
PREȚ UNIC
2.47
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDB2552
MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
FDPF035N06B-F152
MOSFET N-CH 60V 88A TO-220F
FQP13N50
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220-3
