IXTQ36N30P

Numărul de produs al producătorului:

IXTQ36N30P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTQ36N30P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 300V 36A TO3P

Descriere detaliată:

N-Channel 300 V 36A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventar:

346 Piese Noi Originale În Stoc

12821915

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTQ36N30P Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

PolarHT™

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

300 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

36A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

70 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2250 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

300W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-3P

Pachet / Carcasă

TO-3P-3, SC-65-3

Numărul de bază al produsului

IXTQ36

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

94-2304

MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB

littelfuse

IXFX200N10P

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3

littelfuse

IXFB82N60Q3

MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264

littelfuse

IXFK30N50Q

MOSFET N-CH 500V 30A TO264AA