Numărul de produs al producătorului:
FDZ3N513ZT
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDZ3N513ZT-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.96x0.96)
Inventar:
12838288
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDZ3N513ZT Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
3.2V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
462mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+5.5V, -0.3V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
85 pF @ 15 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Body)
Disiparea puterii (max)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 125°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
4-WLCSP (0.96x0.96)
Pachet / Carcasă
4-UFBGA, WLCSP
Numărul de bază al produsului
FDZ3N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDZ3N513ZTCT
FDZ3N513ZTDKR
FDZ3N513ZTTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI8808DB-T2-E1
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
8727
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI8808DB-T2-E1-DG
PREȚ UNIC
0.11
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDP023N08B-F102
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
HUFA75343P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQD4P40TF
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
