FDP023N08B-F102
Numărul de produs al producătorului:

FDP023N08B-F102

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDP023N08B-F102-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

890 Piese Noi Originale În Stoc
12838289
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDP023N08B-F102 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.35mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13765 pF @ 37.5 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
245W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FDP023

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
FDP023N08B-F102OS
FDP023N08B_F102
1990-FDP023N08B-F102
FDP023N08B-F102-DG
2832-FDP023N08B-F102
FDP023N08B_F102-DG
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

HUFA75343P3

MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3

onsemi

FQD4P40TF

MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK

onsemi

FDR6580

MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8

onsemi

FDS6675A

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC