Numărul de produs al producătorului:
FDZ293P
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDZ293P-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 4.6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.5x1.6)
Inventar:
12850549
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDZ293P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
754 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.7W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
9-BGA (1.5x1.6)
Pachet / Carcasă
9-VFBGA
Numărul de bază al produsului
FDZ29
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQB9N50CFTM_WS
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
AOB298L
MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263
FDS9435A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
