FDS6680S
Numărul de produs al producătorului:

FDS6680S

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDS6680S-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

12836743
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDS6680S Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2010 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
FDS66

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IRF7413ZTRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2211
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF7413ZTRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.28
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRF8714TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
26446
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF8714TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.21
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

CPH3456-TL-W

MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH

onsemi

FDMS8888

MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN

onsemi

FDMC0310AS

MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP

onsemi

BSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3