BSS123LT1G

Numărul de produs al producătorului:

BSS123LT1G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

BSS123LT1G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Descriere detaliată:

N-Channel 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

217861 Piese Noi Originale În Stoc

12836751

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

BSS123LT1G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

170mA (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

20 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

225mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SOT-23-3 (TO-236)

Pachet / Carcasă

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Numărul de bază al produsului

BSS123

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

BSS123LT1GOSCT

BSS123LT1GOSTR

BSS123LT1GOSDKR

2156-BSS123LT1G-OS

ONSONSBSS123LT1G

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

FQPF6N80T

MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F

onsemi

FCB20N60-F085

MOSFET N-CH 600V 20A TO263AB

onsemi

3LP01SS-TL-E

MOSFET P-CH 30V 100MA 3SSFP

onsemi

FQPF11N50CF

MOSFET N-CH 500V 11A TO220F