Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FDS6680A
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDS6680A-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
2496 Piese Noi Originale În Stoc
12836900
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDS6680A Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
FDS6680
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FDS6680A-DG
Fișe tehnice
FDS6680A
Informații suplimentare
Alte nume
FDS6680ACT-NDR
FDS6680ACT
FDS6680ATR
FDS6680ADKR
FDS6680ATR-NDR
2832-FDS6680ATR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDS4470
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
193682
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS4470-DG
PREȚ UNIC
0.85
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
AO4476A
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
109358
DiGi NUMĂR DE PARTE
AO4476A-DG
PREȚ UNIC
0.20
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRF7821TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
16602
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF7821TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.37
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
BSO110N03MSGXUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7364
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSO110N03MSGXUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.32
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
DMN3010LSS-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
2390
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN3010LSS-13-DG
PREȚ UNIC
0.22
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMS8320LDC
MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
FQB19N20CTM
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
FQB13N06TM
MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK
FDMS8690
MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP