Numărul de produs al producătorului:
BSO110N03MSGXUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSO110N03MSGXUMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Inventar:
7364 Piese Noi Originale În Stoc
12801287
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSO110N03MSGXUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 12.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.56W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-DSO-8
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
BSO110
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSO110N03MS GINCT-DG
BSO110N03MS G-DG
BSO110N03MSGXUMA1TR
SP000446062
BSO110N03MS GINTR-DG
BSO110N03MS GINDKR-DG
BSO110N03MS GINTR
BSO110N03MS GINDKR
BSO110N03MSG
BSO110N03MS G
BSO110N03MSGXUMA1DKR
BSO110N03MSGXUMA1CT
BSO110N03MS GINCT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD046N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
IPI65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
IPB065N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
