FDS3572
Numărul de produs al producătorului:

FDS3572

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDS3572-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 8.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

6770 Piese Noi Originale În Stoc
12849343
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDS3572 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1990 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
FDS35

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2156-FDS3572-OS
FDS3572-DG
FDS3572CT
FDS3572TR
FDS3572DKR
FAIFSCFDS3572
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
alpha-and-omega-semiconductor

AOTF266L

MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F

onsemi

FQB33N10TM

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

onsemi

FCH104N60

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON6400L

MOSFET N-CH 30V 8DFN