Numărul de produs al producătorului:
FDS3572
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDS3572-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 8.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
6770 Piese Noi Originale În Stoc
12849343
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDS3572 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1990 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
FDS35
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FDS3572-OS
FDS3572-DG
FDS3572CT
FDS3572TR
FDS3572DKR
FAIFSCFDS3572
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AOTF266L
MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F
FQB33N10TM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
FCH104N60
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
