Numărul de produs al producătorului:
AOTF266L
Product Overview
Producător:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
AOTF266L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 78A (Tc) 2.1W (Ta), 45.5W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventar:
111 Piese Noi Originale În Stoc
12849344
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AOTF266L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Ta), 78A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5650 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta), 45.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
AOTF266
Fișa de date și documente
Informații suplimentare
Alte nume
785-1443-5
5202-AOTF266L
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK100A06N1,S4X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
25
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK100A06N1,S4X-DG
PREȚ UNIC
1.07
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQB33N10TM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
FCH104N60
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
AON6400L
MOSFET N-CH 30V 8DFN
