Numărul de produs al producătorului:
FDP083N15A-F102
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDP083N15A-F102-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
4842 Piese Noi Originale În Stoc
12846909
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDP083N15A-F102 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
83A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6040 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
294W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FDP083
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDP083N15A_F102
FDP083N15A_F102FS-DG
FDP083N15AF102
FDP083N15A_F102-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMC7672S
MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
FDFMA2P029Z-F106
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
HUFA76419S3ST
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
