Numărul de produs al producătorului:
FDFMA2P029Z-F106
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDFMA2P029Z-F106-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 3.1A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventar:
12846911
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDFMA2P029Z-F106 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 10 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
1.4W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-MicroFET (2x2)
Pachet / Carcasă
6-VDFN Exposed Pad
Numărul de bază al produsului
FDFMA2
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-FDFMA2P029Z-F106CT
488-FDFMA2P029Z-F106TR
488-FDFMA2P029Z-F106DKR
2832-FDFMA2P029Z-F106TR
FDFMA2P029Z-F106-DG
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
HUFA76419S3ST
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
FDS4470
MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
NDS9400A
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
