Numărul de produs al producătorului:
NDS9400A
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NDS9400A-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 3.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12846917
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NDS9400A Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
NDS940
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NDS9400ADKR
NDS9400ACT
NDS9400ATR-NDR
NDS9400ACT-NDR
NDS9400ATR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQD12P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
FDMA86108LZ
MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
FDP8D5N10C
MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
