Numărul de produs al producătorului:
FDP045N10A-F032
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDP045N10A-F032-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12972969
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDP045N10A-F032 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5270 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
263W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Informații suplimentare
Alte nume
488-FDP045N10A-F032
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDP4D5N10C
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
670
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDP4D5N10C-DG
PREȚ UNIC
2.68
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PSMN2R0-60ES,127
NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60
PJS6404_S1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJS6407_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
