FDP4D5N10C
Numărul de produs al producătorului:

FDP4D5N10C

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDP4D5N10C-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

670 Piese Noi Originale În Stoc
12849888
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDP4D5N10C Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
128A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 310µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5065 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.4W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FDP4D5

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2156-FDP4D5N10C-488
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
alpha-and-omega-semiconductor

AOB2918L

MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263

onsemi

FQAF16N50

MOSFET N-CH 500V 11.3A TO3PF

onsemi

BUZ11_R4941

MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3

onsemi

FDFMA2N028Z

MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET