FDMS86550ET60

Numărul de produs al producătorului:

FDMS86550ET60

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDMS86550ET60-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56

Descriere detaliată:

N-Channel 60 V 32A (Ta), 245A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventar:

RFQ Online

12837671

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FDMS86550ET60 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

32A (Ta), 245A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

1.65mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

154 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

8235 pF @ 30 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3.3W (Ta), 187W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-PQFN (5x6)

Pachet / Carcasă

8-PowerTDFN

Numărul de bază al produsului

FDMS86550

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

FDMS86550ET60-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

FDMS86550ET60CT

FDMS86550ET60DKR

FDMS86550ET60TR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

FQD5N15TM

MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK

onsemi

FQI32N20CTU

MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK

onsemi

FDB8832-F085

MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB

onsemi

FQB3N80TM

MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK