FQI32N20CTU

Numărul de produs al producătorului:

FQI32N20CTU

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FQI32N20CTU-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK

Descriere detaliată:

N-Channel 200 V 28A (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

RFQ Online

12837676

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FQI32N20CTU Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

QFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

28A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

82mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

110 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2220 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3.13W (Ta), 156W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-262 (I2PAK)

Pachet / Carcasă

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Numărul de bază al produsului

FQI3

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

FDB8832-F085

MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB

onsemi

FQB3N80TM

MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK

onsemi

FQD5N60CTM_F080

MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

onsemi

BFL4007

MOSFET N-CH 600V 8.7A TO220FI