FDD6676AS
Numărul de produs al producătorului:

FDD6676AS

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDD6676AS-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 90A (Ta) 70W (Ta) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

12851322
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDD6676AS Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
70W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
FDD667

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IRFR3709ZTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5910
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFR3709ZTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.30
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
DMN3009SK3-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
817
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN3009SK3-13-DG
PREȚ UNIC
0.17
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

FDME430NT

MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6

onsemi

FQNL1N50BTA

MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3

onsemi

HUF75639S3

MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK

onsemi

HUF75631S3S

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK