FQNL1N50BTA

Numărul de produs al producătorului:

FQNL1N50BTA

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FQNL1N50BTA-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3

Descriere detaliată:

N-Channel 500 V 270mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventar:

RFQ Online

12851331

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FQNL1N50BTA Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

QFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

500 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

270mA (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

9Ohm @ 135mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

5.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

150 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

1.5W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-92-3

Pachet / Carcasă

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Numărul de bază al produsului

FQNL1

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

2,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

HUF75639S3

MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK

onsemi

HUF75631S3S

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

rohm-semi

R6509KNJTL

MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

onsemi

FCH070N60E

MOSFET N-CH 600V 52A TO247