Numărul de produs al producătorului:
FDD1600N10ALZD
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDD1600N10ALZD-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
12851225
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDD1600N10ALZD Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
3.61 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
225 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
14.9W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Numărul de bază al produsului
FDD160
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDD1600N10ALZD-DG
FDD1600N10ALZDCT
FDD1600N10ALZDDKR
FDD1600N10ALZDTR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDD1600N10ALZ
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
6334
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDD1600N10ALZ-DG
PREȚ UNIC
0.33
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FCP360N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
FQI8N60CTU
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
FDB8896-F085
MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB