Numărul de produs al producătorului:
FCP360N65S3R0
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCP360N65S3R0-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
411 Piese Noi Originale În Stoc
12851229
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCP360N65S3R0 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FCP360
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FCP360N65S3R0-488
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP16N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP16N65M2-DG
PREȚ UNIC
1.01
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP13NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
649
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP13NM60N-DG
PREȚ UNIC
2.01
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQI8N60CTU
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
FDB8896-F085
MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB
FCP220N80
MOSFET N-CH 800V 23A TO220-3