Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FCB11N60FTM
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCB11N60FTM-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
RFQ Online
12838697
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCB11N60FTM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
SuperFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FCB11
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FCB11N60FTM-DG
Fișe tehnice
FCB11N60FTM
Informații suplimentare
Alte nume
FCB11N60FTMDKR
FCB11N60FTMCT
FCB11N60FTMTR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTA12N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA12N65X2-DG
PREȚ UNIC
2.28
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
R6011ENJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6011ENJTL-DG
PREȚ UNIC
1.56
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FCB11N60TM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
135
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCB11N60TM-DG
PREȚ UNIC
1.43
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
STB13N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2210
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB13N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.86
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SPB11N60C3ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2703
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPB11N60C3ATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.53
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FCP099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
FDS6670AS
MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
FDMC86248
MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
FDD86250
MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK