Numărul de produs al producătorului:
FDD86250
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDD86250-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
1640 Piese Noi Originale În Stoc
12838703
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDD86250 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Ta), 50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2110 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.1W (Ta), 132W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
FDD862
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDD86250-DG
FDD86250CT
FDD86250TR
FDD86250DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD200N15N3GATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
51180
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD200N15N3GATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.19
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDC2512
MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6
HUFA75321D3ST
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
FDS4070N3
MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
