Numărul de produs al producătorului:
ATP114-TL-H
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
ATP114-TL-H-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 55A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK
Inventar:
12921908
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
ATP114-TL-H Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
55A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
60W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
ATPAK
Pachet / Carcasă
ATPAK (2 Leads+Tab)
Numărul de bază al produsului
ATP114
Informații suplimentare
Alte nume
ATP114-TL-HOSDKR
ATP114-TL-HOSTR
ATP114-TL-H-DG
ATP114-TL-HOSCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
2000
DiGi NUMĂR DE PARTE
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
PREȚ UNIC
0.74
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
FDS4465-F085
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
NTB5605P
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
