Numărul de produs al producătorului:
2N7000
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
2N7000-DG
Descriere:
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventar:
24412 Piese Noi Originale În Stoc
12836533
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2N7000 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
400mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-92-3
Pachet / Carcasă
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numărul de bază al produsului
2N7000
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2N7000FS
2832-2N7000
2156-2N7000-OS
2N7000FS-NDR
FAIFSC2N7000
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
3LN01SS-TL-H
MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
FQP9N90C
MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
FQA13N50CF_F109
MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
