PMN16XNE115

Numărul de produs al producătorului:

PMN16XNE115

Product Overview

Producător:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PMN16XNE115-DG

Descriere:

NOW NEXPERIA PMN16XNE SMALL SIGN

Descriere detaliată:

N-Channel 20 V 6.9A (Ta) 550mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventar:

RFQ Online

12948026

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

PMN16XNE115 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

NXP Semiconductors

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

6.9A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 6.9A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

0.9V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

17 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±12V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1136 pF @ 10 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

550mW (Ta), 6.25W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

6-TSOP

Pachet / Carcasă

SC-74, SOT-457

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

2156-PMN16XNE115

NEXNXPPMN16XNE115

Pachet standard

3,699

Clasificare de Mediu și Export

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NTMFS034N15MC

MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN

stmicroelectronics

STN4NF06L

MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223

onsemi

FDBL9401-F085T6

MOSFET N-CH 40V 58.4/240A 8HPSOF

stmicroelectronics

STS1HNK60

MOSFET N-CH 600V 300MA 8SO