STS1HNK60
Numărul de produs al producătorului:

STS1HNK60

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STS1HNK60-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 300MA 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

12948067
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STS1HNK60 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperMESH™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
300mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
156 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Tc)
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
STS1

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
497-3530-1-NDR
497-3530-1
497-3530-2
497-3530-2-NDR
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
STN1NK60Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2437
DiGi NUMĂR DE PARTE
STN1NK60Z-DG
PREȚ UNIC
0.26
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
comchip-technology

ACMSP2303T-HF

MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

taiwan-semiconductor

TSM043NB04CZ

MOSFET N-CH 40V 16A/124A TO220

stmicroelectronics

STH110N7F6-2

MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2

vishay-siliconix

IRFIB8N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3