Numărul de produs al producătorului:
PSMN1R5-40ES,127
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PSMN1R5-40ES,127-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12831475
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PSMN1R5-40ES,127 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9710 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
338W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2166-PSMN1R5-40ES,127-1727
568-6717-5
568-6717-5-DG
934065161127
568-6717
568-6717-DG
1727-5289
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK7105-40AIE,118
MOSFET N-CH 40V 75A SOT426
PMT200EPEX
MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223
PSMN1R0-40SSHJ
MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
