Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
PMT200EPEX
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PMT200EPEX-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223
Descriere detaliată:
P-Channel 70 V 2.4A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventar:
55 Piese Noi Originale În Stoc
12831478
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PMT200EPEX Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
70 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
167mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
822 pF @ 35 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
800mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-223
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
PMT200
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
PMT200EPEX-DG
Fișe tehnice
PMT200EPEX
Informații suplimentare
Alte nume
1727-PMT200EPEXDKR
5202-PMT200EPEXTR
1727-PMT200EPEXTR
934660521115
PMT200EPEX-DG
1727-PMT200EPEXCT
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NTF2955T1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
5249
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTF2955T1G-DG
PREȚ UNIC
0.39
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
NVF2955T1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
3990
DiGi NUMĂR DE PARTE
NVF2955T1G-DG
PREȚ UNIC
0.40
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PSMN1R0-40SSHJ
MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
BUK9M17-30EX
MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
PSMN2R2-25YLC,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
AUIRFN7107TR
MOSFET N-CH 75V 14A/75A PQFN