Numărul de produs al producătorului:
NTF2955T1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTF2955T1G-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Inventar:
5249 Piese Noi Originale În Stoc
12857893
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTF2955T1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
492 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-223 (TO-261)
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
NTF2955
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NTF2955T1GOSCT
2156-NTF2955T1G-OS
ONSONSNTF2955T1G
NTF2955T1G-DG
NTF2955T1GOSDKR
NTF2955T1GOSTR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NDS352AP
MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
RJK2006DPE-00#J3
MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK
NVJS4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
