Numărul de produs al producătorului:
NXV100XPR
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
NXV100XPR-DG
Descriere:
NXV100XP/SOT23/TO-236AB
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventar:
20333 Piese Noi Originale În Stoc
12985615
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NXV100XPR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
354 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-236AB
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
1727-NXV100XPRCT
1727-NXV100XPRTR
934661666215
1727-NXV100XPRDKR
5202-NXV100XPRTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN2053UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
BSS139IXTMA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
SCT040H65G3AG
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
