Numărul de produs al producătorului:
BSS139IXTMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSS139IXTMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3-5
Inventar:
12985628
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSS139IXTMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
14Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 56µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.3 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Depletion Mode
Disiparea puterii (max)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT23-3-5
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
BSS139
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-BSS139IXTMA1TR
SP005558631
448-BSS139IXTMA1CT
448-BSS139IXTMA1DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSS139IXTSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
34923
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSS139IXTSA1-DG
PREȚ UNIC
0.08
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SCT040H65G3AG
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
DMN4020LFDEQ-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-
SI2319DS-T1-BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
