Numărul de produs al producătorului:

APTM120U10DAG

Product Overview

Producător:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

APTM120U10DAG-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1200V 160A SP6

Descriere detaliată:

N-Channel 1200 V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6

Inventar:

RFQ Online

13252541

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

APTM120U10DAG Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Microsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

160A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 20mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

1100 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

28900 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3290W (Tc)

Temperatura

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SP6

Pachet / Carcasă

SP6

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

High-Voltage Power Discretes and Modules

Informații suplimentare

Alte nume

APTM120U10DAG-ND

150-APTM120U10DAG

Pachet standard

1

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

microsemi

APT20M19JVR

MOSFET N-CH 200V 112A ISOTOP

microchip-technology

APT29F80J

MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP

microchip-technology

APT75M50L

MOSFET N-CH 500V 75A TO264

microchip-technology

APT56F60L

MOSFET N-CH 600V 60A TO264